طوّر فريق بحثي من جامعة خليفة للعلوم والتكنولوجيا في أبوظبي، خلية ذاكرة نانوية تهدف إلى تعزيز السعة التخزينية في أجهزة الكمبيوتر، حيث تعتبر شكلاً جديداً لخلية ذاكرة دقيقة جداً تتميز بتوفير ذاكرة ذات سعة تخزين كبيرة وسرعة عالية في معالجة البيانات في رقاقات أجهزة الكمبيوتر، وذلك بهدف تلبية المتطلبات المتزايدة على الأجهزة الإلكترونية التي تتمتع بالسرعة والدقة والفاعلية في الأداء.وتم تصميم خلية الذاكرة النانوية الجديدة، كنوع من أنواع الذاكرة غير المتطايرة، والتي تستطيع إتمام عمليات القراءة والكتابة من خلال تصميمها البسيط الذي يعتمد على جسيم نانوي ذهبي واحد.وتمتاز الذاكرة النانوية الجديدة بكونها دقيقة جداً، حيث يساوي سمكها جسيماً نانوياً ذهبياً واحداً فقط أو ما يعادل نسبة واحد على ألف من حجم شعر الإنسان، وتحتوي على طبقتين رقيقتين من أكسيد الألومنيوم، كما تحظى بهيكل بسيط وفريد من نوعه يسمح بكتابة البيانات عليه وقراءتها عن طريق عمليات الشحن والتفريغ التي يقوم بها جسيم نانوي واحد، وتسهل بساطة تصميم الذاكرة النانوية عملية تصنيعها وبالتالي تتيح إمكانية الاستفادة منها تجارياً على نطاق واسع.وفي هذا الصدد، قام كل من الدكتور محمد رزق، الأستاذ المشارك في الفيزياء والدكتور عرفان سعادة، أستاذ الهندسة الكهربائية وعلوم الكمبيوتر والدكتور عمار نايفة، الأستاذ المشارك في الهندسة الكهربائية وعلوم الكمبيوتر وباحثي الدكتوراه الدكتور أيمن رزق والدكتور يوار عباس بتوضيح ماهية خلية الذاكرة الجديدة في ورقة بحثية.وأوضح الفريق البحثي أن أجهزة الكمبيوتر تقوم بتحويل المعلومات إلى شيفرة ثنائية، تُكتب في سلسلة رقمية مكونة من رقمين وهما 0 و1 ويطلق عليهما أرقام ثنائية أو «بت». وتتكون الملفات والبرامج في أجهزة الكمبيوتر من الملايين من هذه الأرقام الثنائية «بت» والتي يتم تخزينها في الذاكرة ومن ثم تنفيذها في وحدة المعالجة المركزية.وبينوا أنه يوجد في نظام الكمبيوتر نوعان من أنظمة الذاكرة وهما، الذاكرة غير المتطايرة، وهي الذاكرة التي تقوم باسترجاع المعلومات حتى لو لم يتوفر مصدر طاقة، والذاكرة المتطايرة، وهي الذاكرة التي تقوم بمعالجة المعلومات خلال فترة تشغيل جهاز الكمبيوتر فقط.وأشاروا إلى أن أنظمة الذاكرة غير المتطايرة تعتمد في تركيبها، كالفلاش ميموري، على ترانزستور تأثير المجال الكهربائي، والذي يعتمد على أشباه الموصلات المؤكسدة مع المعدن لحفظ كل «بت» في ذاكرة خلية معينة عبر الشحن الكهربائي.
